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STL130N6F7

N沟道60 V、3 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装; • 处于市面上最低的RDS(on)行列 \n• 出色的品质因数(FoM) \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。\n\n

STSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STL130N6F7

High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STB130N6F7

LowCrss/CissratioforEMIimmunity

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STD130N6F7

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

STP130N6F7

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

STP130N6F7

Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

技术参数

  • Package:

    PowerFLAT 5x6

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    60

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.0035

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    130

  • PTOT_max(W):

    125

  • Qg_typ(nC):

    45

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法
22+
PowerFLAT-
50000
原装正品
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DFN5X6
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PowerFLAT-5x6
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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更多STL130N6F7供应商 更新时间2025-7-29 15:38:00