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STL130N6F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的RDS(on)行列
• 出色的品质因数(FoM)
• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
:STL130N6F7
- 生产厂家
:ST
- Package
:PowerFLAT 5x6
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.0035
- Drain Current (Dc)_max(A)
:130
- PTOT_max(W)
:125
- Qg_typ(nC)
:45
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
DFN5*6 |
54558 |
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询价 | ||
原装 |
25+ |
DFN5X6 |
20300 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
DFN5X6 |
12000 |
原装正品 假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
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ST/意法 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
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ST |
25+ |
DFN5X6 |
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NA |
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NA |
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ST/意法 |
24+ |
DFN5X6 |
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ST |
22+ |
NA |
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ST/意法 |
22+ |
N |
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