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STL11N60M2-EP数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
STL11N60M2-EP |
| 参数属性 | STL11N60M2-EP 封装/外壳为8-PowerVDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV |
| 功能描述 | N-channel 600 V, 0.600 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package |
| 封装外壳 | 8-PowerVDFN |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 17:30:00 |
| 人工找货 | STL11N60M2-EP价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STL11N60M2-EP规格书详情
简介
STL11N60M2-EP属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STL11N60M2-EP晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：STL11N60M2-EP
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.654
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5.5
- PTOT_max(W)
：48
- Qg_typ(nC)
：12.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
PowerFLAT |
6000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
- |
3000 |
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ST/意法 |
23+ |
NA |
12730 |
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询价 | ||
ST/意法 |
2511 |
DFN5x6 |
360000 |
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询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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ST |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
ST |
23+ |
QFN |
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询价 | ||
STM |
23+ |
PowerFLAT 5x5 HV |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 |
