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STL11N60M2-EP中文资料N-channel 600 V, 0.600 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STL11N60M2-EP |
| 参数属性 | STL11N60M2-EP 封装/外壳为8-PowerVDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV |
| 功能描述 | N-channel 600 V, 0.600 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package |
| 封装外壳 | 8-PowerVDFN |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 15:15:00 |
| 人工找货 | STL11N60M2-EP价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STL11N60M2-EP规格书详情
简介
STL11N60M2-EP属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STL11N60M2-EP晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：STL11N60M2-EP
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.654
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5.5
- PTOT_max(W)
：48
- Qg_typ(nC)
：12.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
8-PowerVDFN |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
9850 |
只做原装正品 |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
PowerFLAT |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
16+ |
TDSON-8 |
160 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
STM |
15+ |
PowerFLAT 5x5 HV |
6000 |
15年光格 只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
PowerFLAT |
6000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
STMICROELECTRONICS |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
QFN |
60000 |
询价 | |||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83269015邹小姐 |
询价 |
