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STL100N6LF6中文资料N-channel 60 V, 0.0038 Ohm typ., 22 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package数据手册ST规格书
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描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
Low gate charge
Very low on-resistance
High avalanche ruggedness
技术参数
- 型号：
STL100N6LF6
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 60V 0.0038 Ohm 22A STripFET VI MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
新年份 |
DFN5*6 |
16188 |
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询价 | ||
ST |
25+23+ |
QFN |
27745 |
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ST/意法 |
25+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
8PowerSMD Flat Leads |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TDSON-8 |
5213 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
8-PowerVDFN |
38550 |
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询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
QFN |
9850 |
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ST/意法 |
14+ |
QFN |
171 |
原装现货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
QFN |
8678 |
原厂原装 |
询价 | ||
ST |
20+ |
DFN56 |
32550 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 |
