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厂商型号

STL110N10F7

功能描述

N沟道100 V、5 mOhm典型值、107 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 20:00:00

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STL110N10F7规格书详情

描述 Description

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻。此外,该器件还能为更高的开关频率操作提供超低电容。

特性 Features

• 处于市面上最低的RDS(on)行列
• 出色的品质因数(FoM)
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力

技术参数

  • 制造商编号

    :STL110N10F7

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :PowerFLAT 5x6

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.006

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :100

  • PTOT_max(W)

    :136

  • Qg_typ(nC)

    :72

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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