N沟道100 V、5 mOhm典型值、107 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻。此外，该器件还能为更高的开关频率操作提供超低电容。 • 处于市面上最低的RDS(on)行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

ST

意法半导体

High avalanche ruggedness

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 100 V, 5 mΩ typ., 107 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 dual side cooling package

Features • Among the lowest RDS(on) on the market • Excellent FoM (figure of merit) • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity • High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench g

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

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DOINGTER

杜因特