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STL105DN4LF7AG规格书详情
描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness
• Wettable flank package
技术参数
- 制造商编号
：STL105DN4LF7AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 double island WF
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.008
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0045
- Drain Current (Dc)_max(A)
：15
- PTOT_max(W)
：4.3
- Qg_typ(nC)
：25
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-4 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-4 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DFN8 |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
STM |
22+ |
NA |
30000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
PowerFLAT-5x6-4 |
12000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
8-PowerVDFN |
11548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
DFN5x6 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-4 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST |
23+ |
DFN8 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 |
