STL12P6F6数据手册ST中文资料规格书
STL12P6F6规格书详情
描述 Description
This device is an P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits a very low RDS(on)in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STL12P6F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.16
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-3
- PTOT_max(W)
：4.8
- Qg_typ(nC)
：6.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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ST/意法 |
22+ |
PowerFLAT5x6 |
100000 |
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ST/意法 |
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DFN56-8 |
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ST |
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ST |
24+ |
QFN12 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
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ST/意法半导体 |
22+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
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STM |
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ST/意法 |
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