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STL11N65M5中文资料N沟道650 V、0.475 Ohm典型值、8.5 A MDmesh M5功率MOSFET，PowerFLAT 5x5 HV封装数据手册ST规格书
STL11N65M5规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET based on MDmesh™ M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product offers extremely low on-resistance, making it particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.
特性 Features
• Extremely low RDS(on)
• Low gate charge and input capacitance
• Excellent switching performance
• 100% avalanche tested
技术参数
- 制造商编号
：STL11N65M5
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x5 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.53
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8.5
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：17
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
2022+ |
8-PowerVDFN |
38550 |
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询价 | ||
ADI |
23+ |
DFN5X6 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
ST/意法 |
2450+ |
QFN8 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
DFN8 |
20300 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
QFN8 |
3000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
询价 | |||
ST |
24+ |
QFN8 |
3000 |
只做原装现货/假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DFN8 |
60000 |
询价 |
