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STL11N65M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
主要特性
Extremely low gate chargeExcellent output capacitance (COSS) profile
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STL11N65M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x5 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.75
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5
- PTOT_max(W)
：46
- Qg_typ(nC)
：12.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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ST/意法 |
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QFN |
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ST(意法) |
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NA |
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ST/意法 |
24+ |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
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QFN |
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