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STL115N10F7AG规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 通过AEC-Q101认证
• 处于市面上最低的 RDS(on) 行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STL115N10F7AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 WF
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.006
- Drain Current (Dc)_max(A)
：100
- PTOT_max(W)
：136
- Qg_typ(nC)
：72
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
DFN56-8 |
20300 |
ST/意法原装特价STL115N10F7AG即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
STMICR |
22+ |
NA |
28017 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
PowerFLAT-8 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-8 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
8-PowerVDFN |
9548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
8-PowerVDFN |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 |
