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STL115N10F7AG中文资料汽车级N沟道100 V、0.005 Ohm典型值、107 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装数据手册ST规格书
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描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 通过AEC-Q101认证
• 处于市面上最低的 RDS(on) 行列
• 出色的品质因数(FoM)
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
:STL115N10F7AG
- 生产厂家
:ST
- Package
:PowerFLAT 5x6 WF
- Grade
:Automotive
- VDSS(V)
:100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.006
- Drain Current (Dc)_max(A)
:100
- PTOT_max(W)
:136
- Qg_typ(nC)
:72
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
PFLAT-8 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-8 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(5x6) |
3000 |
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询价 | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
PowerFLAT-8 |
16900 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-8 |
6000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-8 |
12820 |
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询价 | ||
ST |
20+ |
DFN5X6 |
10323 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
8-PowerVDF |
5000 |
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