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STL115N10F7AG

Automotive-grade N-channel 100 V, 5 m typ., 107 A, STripFETTM F7 Power MOSFET in a PowerFLATTM 5x6 package

Features  AEC-Q101 qualified  Among the lowest RDS(on) on the market  Excellent FoM (figure of merit)  Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity  High avalanche ruggedness Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure tha

文件:945.85 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL115N10F7AG

汽车级N沟道100 V、0.005 Ohm典型值、107 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。 • 通过AEC-Q101认证 \n• 处于市面上最低的 RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数(FoM) \n• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

ST

意法半导体

STL130N6F7

ST/意法
POWERFLAT5X6

ST/意法

STL24N60M2

ST
QFN

ST

STL50DN6F7

STM
DFN5X6

技术参数

  • Package:

    PowerFLAT 5x6 WF

  • Grade:

    Automotive

  • VDSS(V):

    100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.006

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    100

  • PTOT_max(W):

    136

  • Qg_typ(nC):

    72

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更多STL115N10F7AG供应商 更新时间2025-10-10 17:40:00