STL11N6F7中文资料N-channel 60 V, 10 mOhm typ., 11 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package数据手册ST规格书
STL11N6F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的RDS(on) 行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STL11N6F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：POWERFLAT 3.3X3.
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.012
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：2.9
- Qg_typ(nC)
：17
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
8860 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
10000 |
原装公司现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DFN33 |
3800 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
8-PowerVDFN |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
23+ |
8PowerVDFN |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
STM |
20+ |
DFN |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2020+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 |
