STL11N6F7数据手册ST中文资料规格书
STL11N6F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的RDS(on) 行列
• 出色的品质因数(FoM)
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
:STL11N6F7
- 生产厂家
:ST
- Package
:POWERFLAT 3.3X3.
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.012
- Drain Current (Dc)_max(A)
:11
- PTOT_max(W)
:2.9
- Qg_typ(nC)
:17
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
22+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
16900 |
原装,正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DFN33 |
3800 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(3.3x3.3) |
3000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
19587 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品 |
询价 |