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STL12N10F7规格书详情
描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特性 Features
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness
技术参数
- 制造商编号
：STL12N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：POWERFLAT 3.3X3.
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0133
- Drain Current (Dc)_max(A)
：12
- PTOT_max(W)
：78
- Qg_typ(nC)
：28
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
PowerFLAT-8 |
12000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
DFN3.3X3.3 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
2406+ |
71260 |
诚信经营!进口原装!量大价优! |
询价 | |||
STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(3.3x3.3) |
4000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST/意法 |
2511 |
DFN3.3X3.3 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST |
23+ |
QFN |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
ST |
18+ |
QFN |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 |
