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STL11N3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STL11N3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 3.3x3.3
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0095
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0075
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：2
- Qg_typ(nC)
：17
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
4650 |
绝对原装公司现货 |
询价 | ||
ST |
1948+ |
DFN |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DFN3*3 |
505078 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
PowerFLAT3.3x3. |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DFN |
190 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 |
