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STL11N3LLH6中文资料N沟道30 V、6 mOhm典型值、11 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3封装数据手册ST规格书
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描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STL11N3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 3.3x3.3
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0095
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0075
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：2
- Qg_typ(nC)
：17
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
PowerFLAT3.3x3.3 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
20381 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
DFN(3X3) |
32360 |
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询价 | ||
ST |
11+ |
DFN33 |
1 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
新年份 |
DFN3*3 |
33288 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
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STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(3.3x3.3) |
3000 |
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询价 |
