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STF100N10F7	文件：290.87 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STI100N10F7	文件：652.33 Kbytes Page：28 Pages	N-channel100V,6.8mΩtyp.,80ASTripFET™F7PowerMOSFETsinD2PAK,DPAK,TO-220FP,I2PAKandTO-220packages Features •AmongthelowestRDS(on)onthemarket •ExcellentFoM(figureofmerit) •LowCrss/CissratioforEMIimmunity •Highavalancheruggedness Applications •Switchingapplications Description TheseN-channelPowerMOSFETsutilizeSTripFET™F7technologywithan enhancedtrenc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STP100N10F7	文件：1.5116 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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详细参数

型号：
STL100N10F7
功能描述：
MOSFET N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STL100N10F7供应商更新时间2025-5-20 18:19:00

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