N沟道100 V、0.0062 Ohm典型值、19 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

该器件是采用第七代STripFET™ DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS（on）。 • 超低导通电阻 \n• 经过100％雪崩测试;

ST

意法半导体

丝印：100N10F7；Package：PowerFLAT；N-channel 100 V, 0.0062 廓 typ., 19 A, STripFET??VII DeepGATE?? Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 package

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 100 V, 6.8 mΩ typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO-220FP, I2PAK and TO-220 packages

Features • Among the lowest RDS(on) on the market • Excellent FoM (figure of merit) • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity • High avalanche ruggedness Applications • Switching applications Description These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trenc

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

Isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电