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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
STI100N10F7 | 丝印:100N10F7;Package:I2PAK;N-channel 100 V, 6.8 mΩ typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO-220FP, I2PAK and TO-220 packages Features • Among the lowest RDS(on) on the market • Excellent FoM (figure of merit) • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity • High avalanche ruggedness Applications • Switching applications Description These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trenc 文件:652.33 Kbytes 页数:28 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
STI100N10F7 | Package:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
N-channel 100 V, 0.0062 廓 typ., 19 A, STripFET??VII DeepGATE?? Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 package 文件:1.40189 Mbytes 页数:16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件:1.5116 Mbytes 页数:5 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | ||
Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:300.46 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC |
产品属性
- 产品编号:
STI100N10F7
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 系列:
STripFET™
- 包装:
卷带(TR)
- FET 类型:
N 通道
- 技术:
MOSFET(金属氧化物)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
80A(Tc)
- 安装类型:
通孔
- 供应商器件封装:
I2PAK(TO-262)
- 封装/外壳:
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 描述:
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
I2PAK(TO-262) |
1000 |
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STMicroelectronics |
2022+ |
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-26 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
BGA |
5000 |
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BGA |
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ST |
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ST |
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BGA |
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ST |
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20000 |
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