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STI10N62K3	文件：285.51 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 8.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 620V(Min) -RDS(on) = 0.75Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：285.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STI10N62K3	文件：954.14 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 620 V, 0.68 廓 typ., 8.4 A SuperMESH3? 文件：954.14 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP10N62K3	文件：372.34 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 8.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 620V(Min) -RDS(on) = 0.75Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：372.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP10N62K3	文件：1.10788 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10788 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STP10N62K3	文件：954.14 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 620 V, 0.68 廓 typ., 8.4 A SuperMESH3? 文件：954.14 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STI10N62K3
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 8.4A I2PAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SuperMESH3™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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