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STP10N62K3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 8.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 620V(Min) -RDS(on) = 0.75Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:372.34 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STP10N62K3

N-channel 620 V, 0.68 廓 typ., 8.4 A SuperMESH3?

文件:954.14 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP10N62K3

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10788 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

10N62K3

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件:2.15001 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STF10N62K3

N-channel 620 V, 0.68 廓 typ., 8.4 A SuperMESH3?

文件:954.14 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STF10N62K3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 8.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 620V(Min) -RDS(on) = 0.75Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:319.23 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    STP10N62K3

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STP10N62K3供应商 更新时间2026-2-2 14:36:00