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STP11N65M2	文件：1.17856 Mbytes Page：21 Pages	Extremely low gate charge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD11N65M2	文件：1.17856 Mbytes Page：21 Pages	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STFU11N65M2	文件：454.6 Kbytes Page：12 Pages	N-channel650V,0.60typ.,7AMDmeshM2PowerMOSFETinaTO-220FPultranarrowleadspackage Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(COSS)profile •100avalanchetested •Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmeshM2 technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedevice	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STU11N65M2	文件：1.17856 Mbytes Page：21 Pages	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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更多STP11N65M2供应商更新时间2024-4-30 18:26:00

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