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STP12N65M5	文件：1.09242 Mbytes Page：23 Pages	N-channel 650 V, 0.39 Ohm, 8.5 A MDmesh V Power MOSFET DPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP12N65M5	文件：303.85 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel Mosfet Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP12N65M5	文件：1.03498 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD12N65M5	文件：1.09242 Mbytes Page：23 Pages	N-channel650V,0.39Ohm,8.5AMDmeshVPowerMOSFETDPAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,IPAK Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD12N65M5	文件：308.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF12N65M5	文件：1.09242 Mbytes Page：23 Pages	N-channel650V,0.39Ohm,8.5AMDmeshVPowerMOSFETDPAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,IPAK Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF12N65M5	文件：294.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STI12N65M5	文件：1.09242 Mbytes Page：23 Pages	N-channel650V,0.39Ohm,8.5AMDmeshVPowerMOSFETDPAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,IPAK Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STI12N65M5	文件：341.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor •FEATURES •DrainCurrentID=8.5A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STL12N65M5	文件：1.38052 Mbytes Page：17 Pages	Verylowintrinsiccapacitance Description ThisdeviceisanN-channelMDmesh™VPowerMOSFETbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatchedam	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STU12N65M5	文件：1.09242 Mbytes Page：23 Pages	N-channel650V,0.39Ohm,8.5AMDmeshVPowerMOSFETDPAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,IPAK Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STU12N65M5	文件：316.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
STP12N65M5
功能描述：
MOSFET N-channel 650 V 0.370ohm 8.5A Mdmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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