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STI23NM60ND

N-channel 600 V - 0.150 廓 - 20 A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 FDmesh??II Power MOSFET

文件:343.47 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STI23NM60ND

N-channel 600 V, 0.150 廓, 19.5 A, FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode) D짼PAK, I짼PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247

文件:820.53 Kbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL23NM60ND

N-channel 600 V, 0.150 廓, 19.5 A, FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode) PowerFLAT??(8x8) HV

文件:473 Kbytes 页数:11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP23NM60N

N-channel 600 V - 0.150 廓 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh??Power MOSFET

文件:554.08 Kbytes 页数:19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP23NM60N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:372.53 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    STI23NM60ND

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch, 600V-0.15ohms FDMesh 20A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STI23NM60ND供应商 更新时间2025-11-19 10:20:00