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STI150N10F7

N-channel 100 V, 0.0036 Ohm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in I2PAK package; • 处于市面上最低的 RDS(on)行列\n• 出色的品质因数(FoM)• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力\n• 坚固的抗雪崩能力;

该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。\n \n

STSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STI150N10F7

High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STI150N10F7

Marking:I2PAK;Package:TO-262;isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

STP150N10F7

N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

STP150N10F7

Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STP150N10F7

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

STP150N10F7AG

AutomotiveN-channel100V,4.2m廓typ.,110A,STripFETF7PowerMOSFETinaTO-220package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

技术参数

  • Package:

    I2PAK

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.0042

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    110

  • PTOT_max(W):

    250

  • Qg_typ(nC):

    117

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法
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更多STI150N10F7供应商 更新时间2025-7-28 10:12:00