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STI150N10F7 | N-channel 100 V, 0.0036 Ohm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in I2PAK package; • 处于市面上最低的 RDS(on)行列\n• 出色的品质因数(FoM)• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力\n• 坚固的抗雪崩能力; 该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。\n \n | STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | ST | |
STI150N10F7 | High avalanche ruggedness | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
STI150N10F7 | Marking:I2PAK;Package:TO-262;isc N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
Highavalancheruggedness | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
AutomotiveN-channel100V,4.2m廓typ.,110A,STripFETF7PowerMOSFETinaTO-220package | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
技术参数
- Package:
I2PAK
- Grade:
Industrial
- VDSS(V):
100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):
0.0042
- Drain Current (Dc)_max(A):
110
- PTOT_max(W):
250
- Qg_typ(nC):
117
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-262 |
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ST/意法半导体 |
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