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STI150N10F7中文资料N-channel 100 V, 0.0036 Ohm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in I2PAK package数据手册ST规格书
STI150N10F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的 RDS(on)行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STI150N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：I2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0042
- Drain Current (Dc)_max(A)
：110
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：117
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
25 |
TO-262-3 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-262-3 |
6002 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-262-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-262 |
32360 |
ST/意法全新特价STI150N10F7即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-262-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
14+ |
TO-262 |
90 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-262-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 |
