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STI13NM60N中文资料N沟道600 V、0.28 Ohm典型值、11 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，I2PAK封装数据手册ST规格书
STI13NM60N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STI13NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：I2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.36
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：90
- Qg_typ(nC)
：30
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-262-3 |
16900 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST |
19+ |
TO-262 |
35000 |
询价 | |||
ST/意法 |
15+ |
TO-262 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-262-3 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-262-3 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
22+ |
NA |
893 |
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询价 | |||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-262-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 |
