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P6NC60	文件：364.52 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL600V-1ohm-6ATO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMESH?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=1.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STGBL6NC60DI	文件：645.32 Kbytes Page：18 Pages	6A,600VhyperfastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGPL6NC60D
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，3A
开关能量：
46.5µJ（开），23.5µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
6.7ns/46ns
测试条件：
390V，3A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 14A 56W TO220

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