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STGB6NC60HD	文件：406.44 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 600V - 7A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH TM IGBT 文件：406.44 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB6NC60HD	文件：424.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH??IGBT 文件：424.69 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB6NC60HD_07	文件：424.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH??IGBT 文件：424.69 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB6NC60HD-1	文件：424.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH??IGBT 文件：424.69 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB6NC60HDT4	文件：406.44 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 600V - 7A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH TM IGBT 文件：406.44 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB6NC60HDT4	文件：424.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH??IGBT 文件：424.69 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB6NC60HDT4	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道600 V、7 A超快IGBT • Low VCE(sat) \n• Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) \n• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode \n• High-frequency operation;	ST 意法半导体	ST
STGB6NC60HD-1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 15A 56W I2PAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
D2PAK
Grade：
Industrial
VCES_max(V)：
600
PTOT_max(W)：
80
IC_max(@ Tc=100°C)(A)：
7
IC_max(@ Tc=25°C)(A)：
15
IF_max(@ Tc=25°C)(A)：
10
VCE(sat)_typ(V)：
1.75
Qg_typ(nC)：
13.6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STGB6NC60HD供应商更新时间2026-1-30 14:02:00

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