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STGB6NC60HDT4	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道600 V、7 A超快IGBT • Low VCE(sat) \n• Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) \n• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode \n• High-frequency operation;	ST 意法半导体	ST
STGD6NC60HDT4	文件：467.28 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT 文件：467.28 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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更多STGB6NC60HDT4供应商更新时间2025-11-20 10:27:00