选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
原装NA |
34881 |
23+ |
|
热卖原装进口 |
||
|
深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
|
STSOT252 |
2500 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
|||
|
深圳市金启宁科技有限公司10年
留言
|
ST/意法SOT252 |
10874 |
2206+ |
专营原装正品,现货特价中!QQ:1978835518/192523 |
|||
|
深圳市毅创辉电子科技有限公司6年
留言
|
STTO-252-3 |
30000 |
23+ |
全新原装正品 |
|||
|
深圳市冠亿通科技有限公司8年
留言
|
5000 |
21+ |
只做原装 假一罚百 可开票 可售样 |
||||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
STTO-252 |
3000 |
新批次 |
||||
|
深圳市宏桥达半导体有限公司3年
留言
|
ST/意法TO-252 |
500000 |
22+ |
原厂渠道/找正品元器件就找宏桥达/实报实货/诚信第一/ |
|||
|
深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
|
ST/意法NA |
40000 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
|||
|
深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
|
ST(意法半导体)TO-252-2 |
6000 |
24+ |
ST代理库存,只做全新原装正品现货,假一罚十 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
ST/意法DPAK-3 |
33 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
|
深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
|
ST MICROELECTRONICSTO-252 |
4000 |
20+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
STMicroelectronicsTO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
30000 |
23+ |
|
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
ST(意法半导体)TO-252 |
2669 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
|
深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
|
STTO-252 |
4500 |
22+ |
原装正品!现货热卖! |
|||
|
深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
|
STTO-252 |
3600 |
22+ |
原装正品!公司现货热卖! |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
STSOT252 |
20000 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
|
ST/意法半导体Si |
8800 |
21+ |
公司只做原装正品 |
|||
|
易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
|
ST/意法SOT252 |
9990 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
|||
|
深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
|
ST(意法半导体)TO2522(DPAK) |
6000 |
23+ |
||||
|
深圳市正纳电子有限公司11年
留言
|
ST/意法DPAK-3 |
33 |
ROHS .original |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
STGD6NC60HDT4采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
STGD6NC60HDT4图片
STGD6NC60HDT4价格
STGD6NC60HDT4价格:¥3.3617品牌:STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的STGD6NC60HDT4多少钱,想知道STGD6NC60HDT4价格是多少?参考价:¥3.3617。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,STGD6NC60HDT4批发价格及采购报价,STGD6NC60HDT4销售排行榜及行情走势,STGD6NC60HDT4报价。
STGD6NC60HDT4资讯
STGD6NC60HDT4
进口代理
STGD6NC60HDT4中文资料Alldatasheet PDF
更多STGD6NC60HDT4功能描述:IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
STGD6NC60HDT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,3A
- 开关能量:
20µJ(开),68µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
12ns/76ns
- 测试条件:
390V,3A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
IGBT 600V 15A 56W DPAK