造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 15 A
Pd-功率耗散: 63 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: STGD6NC60HDT4
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流: 6 A
集电极最大连续电流 Ic: 15 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
产品类型: IGBT Transistors
2500
子类别: IGBTs
宽度: 6.2 mm
单位重量: 350 mg
