产品特点：
高速信号传输：由 GaAlAs 红外发光二极管与高速光电探测器 IC 芯片组成，传播延迟时间较短，tpHL 最大值为 190ns，tpLH 最大值为 170ns，能快速传输信号。
高共模瞬态抗扰度：光电探测器 IC 芯片具有内部屏蔽，可提供 ±20kV/µs 的高共模瞬态抗扰度，输入和输出引脚之间抗噪能力出色。
图腾柱输出：输出部为图腾柱电路，可实现吸入（Sink）和拉出（Source）双向驱动，输出峰值电流最大可达 ±2.5A，能够直接驱动小容量的 IGBT 及功率 MOSFET。
高绝缘性能：隔离电压为 3750Vrms（最小值），能有效隔离输入与输出电路，确保电气安全。
技术参数：
通道数：1 通道。
正向电压：典型值为 0.8V。
最大正向电流：20mA。
电源电压：10V 至 30V。
工作温度范围：-40℃至 100℃。
存储温度范围：-55℃至 125℃。
引脚数：5Pin。
应用领域：适用于等离子显示面板（PDP）、工业逆变器、MOSFET 栅极驱动、IGBT 栅极驱动等场景，可实现电路之间的电气隔离和信号传输，常用于电磁炉、光伏逆变器等设备中。
