首页>STGD6NC60HDT4>规格书详情

STGD6NC60HDT4分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGD6NC60HDT4
厂商型号

STGD6NC60HDT4

参数属性

STGD6NC60HDT4 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 15A 56W DPAK

功能描述

N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT
IGBT 600V 15A 56W DPAK

文件大小

467.28 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载

更新时间

2024-6-16 20:00:00

STGD6NC60HDT4规格书详情

STGD6NC60HDT4属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGD6NC60HDT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    STGD6NC60HDT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,3A

  • 开关能量:

    20µJ(开),68µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    12ns/76ns

  • 测试条件:

    390V,3A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 15A 56W DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
23+
NA/
303
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
ST
20+
DPAK-3
65300
一级代理/放心采购
询价
ST(意法半导体)
23+
TO2522(DPAK)
6000
诚信服务,绝对原装原盘
询价
ST/意法
22+
TO-252
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
ST
23+/24+
SOT252
15000
原装进口、正品保障、合作持久
询价
ST/意法半导体
21+
Si
8860
原装现货,实单价优
询价
ST
TO252
393738
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
询价
STMICROELECTRONICS
22+
SMD
518000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
ST专家
22+23+
DPAK-3
29296
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
ST/意法
22+
TO-252
9000
原装正品,支持实单!
询价