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STGD6NC60H-1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGD6NC60H-1
厂商型号

STGD6NC60H-1

参数属性

STGD6NC60H-1 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT N-CH 600V 7A IPAK

功能描述

N-channel 600 V, 7 A - IPAK Very fast PowerMESH??IGBT
IGBT N-CH 600V 7A IPAK

丝印标识

GD6NC60H

封装外壳

IPAK / TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

文件大小

376.04 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 18:31:00

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STGD6NC60H-1规格书详情

STGD6NC60H-1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGD6NC60H-1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGD6NC60H-1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,3A

  • 开关能量:

    20µJ(开),68µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    12ns/76ns

  • 测试条件:

    390V,3A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

  • 供应商器件封装:

    TO-251(IPAK)

  • 描述:

    IGBT N-CH 600V 7A IPAK

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