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STGD3NB60SDT4分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
STGD3NB60SDT4 |
| 参数属性 | STGD3NB60SDT4 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 6A 48W DPAK |
| 功能描述 | N-CHANNEL 3A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
305.96 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 16:24:00 |
| 人工找货 | STGD3NB60SDT4价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGD3NB60SDT4规格书详情
STGD3NB60SDT4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGD3NB60SDT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
STGD3NB60SDT4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.5V @ 15V，3A
- 开关能量：
1.15mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
125µs/-
- 测试条件：
480V，3A，1 千欧，15V
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
IGBT 600V 6A 48W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO252 |
30000 |
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询价 | ||
stm |
23+ |
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ST |
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TO252 |
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ST |
2025+ |
TO-252 |
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ST |
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TO252 |
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ST/意法 |
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