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STGD18N40LZT4分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
STGD18N40LZT4 |
| 参数属性 | STGD18N40LZT4 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 420V 25A 125W DPAK |
| 功能描述 | EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
896 Kbytes |
| 页面数量 |
19 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 | STMICROELECTRONICS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 13:40:00 |
| 人工找货 | STGD18N40LZT4价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGD18N40LZT4规格书详情
STGD18N40LZT4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGD18N40LZT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
STGD18N40LZT4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 4.5V，10A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
650ns/13.5µs
- 测试条件：
300V，10A，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
IGBT 420V 25A 125W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
5000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ST |
24+ |
DPAK-3 |
10645 |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
7500 |
询价 | |||
ST/意法 |
2324+ |
DPAK |
78920 |
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
询价 | ||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268834邹小姐 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
SOT252 |
60000 |
询价 | |||
ST |
16+ |
TO252 |
10000 |
全新原装 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
DPAK-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST |
22+23+ |
TO-252 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 |
