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STGD18N40LZ分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
STGD18N40LZ |
| 参数属性 | STGD18N40LZ 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 420V 25A 125W DPAK |
| 功能描述 | EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT |
| 文件大小 |
636.58 Kbytes |
| 页面数量 |
18 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体（ST）集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-19 20:00:00 |
STGD18N40LZ规格书详情
STGD18N40LZ属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体（ST）集团制造生产的STGD18N40LZ晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
STGD18N40LZT4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 4.5V，10A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
650ns/13.5µs
- 测试条件：
300V，10A，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
IGBT 420V 25A 125W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
333 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
TO-252 |
93480 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
询价 | |||
ST全系列 |
22+23+ |
DPAKIPAK |
26243 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
N/A |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
询价 | ||
ST/意法 |
TO-252 |
265209 |
假一罚十,原包原标签,常备现货 |
询价 | |||
ST-意法半导体 |
24+25+/26+27+ |
TO-251-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-251 |
35200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ST |
23+ |
IPAKTO-251TO252 |
37650 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
STM原厂目录 |
23+ |
DPAK;IPAK |
28500 |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
询价 |
