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STGD3NB60SDT4	文件：305.96 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 3A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT 文件：305.96 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGD3NB60SDT4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 6A 48W DPAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STGD7NC60HT4	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	st 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	st
STGE200NB60S	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT227	ST 上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	ST

产品属性

产品编号：
STGD3NB60SDT4
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.5V @ 15V，3A
开关能量：
1.15mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
125µs/-
测试条件：
480V，3A，1 千欧，15V
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
IGBT 600V 6A 48W DPAK

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