| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
ST/意法TO252DPAKAUBONDINGWI |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
|
ST/意法NA |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
STTO252 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
|
STTO252 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
|
深圳市远进半导体有限公司3年
留言
|
STTO-252 |
25000 |
22 |
3月31原装,微信报价 |
|||
|
深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
|
ST/意法TO252DPAKAUBONDI |
95532 |
22+ |
||||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
46180 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
|
STTO-252 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
|
stmNA |
6486 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
|
深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
|
ST/意法N |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
|||
|
深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
|
STTO-252 |
15000 |
12+ |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
|||
|
深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
|
STTO252 |
26678 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
ST/意法TO-252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
|
STSMD |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
|
深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
|
ST/意法TO252DPAKAUBONDI |
95532 |
22+ |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
|||
|
深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
|
STTO-252 |
4325 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
STTO-252 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
STTO252DPAKAUBONDI |
35400 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳兆威电子有限公司6年
留言
|
ST/意法TO252DPAKAUBONDI |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
|
深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
|
STMicroelectronicsSOT-723 |
30540 |
21+ |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
STGD3NB60SDT4采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
STGD3NB60SDT4图片
STGD3NB60SDT4价格
STGD3NB60SDT4价格：￥3.8617品牌：STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的STGD3NB60SDT4多少钱，想知道STGD3NB60SDT4价格是多少？参考价：￥3.8617。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，STGD3NB60SDT4批发价格及采购报价，STGD3NB60SDT4销售排行榜及行情走势，STGD3NB60SDT4报价。
STGD3NB60SDT4中文资料Alldatasheet PDF
更多STGD3NB60SDT4功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
STGD3NB60SDT4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.5V @ 15V，3A
- 开关能量：
1.15mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
125µs/-
- 测试条件：
480V，3A，1 千欧，15V
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
IGBT 600V 6A 48W DPAK
