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STGFW20V60DF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the V series IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, the posi • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C\n• Tail-less switching off\n• Tight parameters distribution• Safe paralleling\n• Very fast soft recovery antiparallel diode\n• Lead free package;	ST 意法半导体	ST
STGFW20V60DF	文件：709.57 Kbytes Page：15 Pages	丝印：G20V60DF；Package：TO-3PF；Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed 文件：709.57 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGFW20V60DF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 52W TO-3PF	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGFW20V60F	文件：1.61814 Mbytes Page：19 Pages	600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT 文件：1.61814 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP20V60DF	文件：2.09008 Mbytes Page：23 Pages	Low thermal resistance 文件：2.09008 Mbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP20V60DF	文件：2.09008 Mbytes Page：23 Pages	600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT 文件：2.09008 Mbytes 页数：23 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

产品属性

产品编号：
STGFW20V60DF
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
开关能量：
200µJ（开），130µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
38ns/149ns
测试条件：
400V，20A，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3 整包
供应商器件封装：
TO-3PF
描述：
IGBT 600V 40A 52W TO-3PF

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