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STGF19NC60KD	文件：586.14 Kbytes Page：17 Pages	20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGF19NC60KD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 16A 32W TO220FP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GB19NC60H	文件：663.63 Kbytes Page：15 Pages	19A-600V-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highfrequencyoperation Applications ■Highfrequencymotordrives ■SMPSandPFCi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GB19NC60HD	文件：511.88 Kbytes Page：18 Pages	19A-600V-veryfastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GB19NC60K	文件：524.51 Kbytes Page：15 Pages	20A-600V-shortcircuitruggedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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GF19NC60SD	文件：535.58 Kbytes Page：15 Pages	20A,600VfastIGBTwithUltrafastdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GF19NC60WD	文件：315.93 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V-7A-TO-220UltrafastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GP19NC60H	文件：318.68 Kbytes Page：14 Pages	19A-600V-veryfastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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GP19NC60S	文件：289.55 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V-20A-TO-220MediumfrequencyPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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GP19NC60W	文件：300.13 Kbytes Page：13 Pages	N-channel600V-19A-TO-220UltrafastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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产品属性

产品编号：
STGF19NC60KD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.75V @ 15V，12A
开关能量：
165µJ（开），255µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/105ns
测试条件：
480V，12A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220FP
描述：
IGBT 600V 16A 32W TO220FP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STGF19NC60KD供应商更新时间2024-4-27 13:00:00

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