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STGD18N40LZT4分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGD18N40LZT4
厂商型号

STGD18N40LZT4

参数属性

STGD18N40LZT4 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 420V 25A 125W DPAK

功能描述

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT
IGBT 420V 25A 125W DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

636.58 Kbytes

页面数量

18

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2025-8-7 8:02:00

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STGD18N40LZT4规格书详情

STGD18N40LZT4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGD18N40LZT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGD18N40LZT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 4.5V,10A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    650ns/13.5µs

  • 测试条件:

    300V,10A,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 420V 25A 125W DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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