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PBSS4350SS.115	文件：107.36 Kbytes Page：14 Pages	NPN/NPN double low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. General description PNP/PNP double low VCEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector current capability IC and ICM ■ High collector current gain ( 文件：107.36 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
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更多PBSS4350SS.115供应商更新时间2021-9-14 10:50:00