PBSS4350SS.115数据手册贸易商恩智浦nxp-114ic电子网

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
PBSS4350SS.115	文件：107.36 Kbytes Page：14 Pages	NPN/NPN double low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. General description PNP/PNP double low VCEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector current capability IC and ICM ■ High collector current gain ( 文件：107.36 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4350SS.115	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN/NPN double low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.	恩XP 恩智浦	恩XP
PBSS4350T	文件：0 bytes Page：0 Pages	NXP SOT23	恩XP 上传：深圳市乐创天科技有限公司	恩XP
PBSS4350Z	文件：0 bytes Page：0 Pages	NXP恩智浦 SOT-223	恩XP 上传：深圳市乐创天科技有限公司	恩XP
PBSS4560PA	文件：0 bytes Page：0 Pages	NXP WDFN3	恩XP 上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	恩XP

更多PBSS4350SS.115供应商更新时间2021-9-14 10:50:00