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PBSS4350Z	文件：83.83 Kbytes Page：12 Pages	50 V low VCEsat NPN transistor DESCRIPTION NPN low VCEsattransistor in a SOT223 plastic package. PNP complement: PBSS5350Z. FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High collector current capability: ICand ICM • High collector current gain (hFE) at high IC • Higher efficiency leading to less heat generation 文件：83.83 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4350Z	文件：162.23 Kbytes Page：9 Pages	50 V low VCEsat NPN transistor DESCRIPTION NPN low VCEsattransistor in a SOT223 plastic package. PNP complement: PBSS5350Z. FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High collector current capability: ICand ICM • High collector current gain (hFE) at high IC • Higher efficiency leading to less heat generation 文件：162.23 Kbytes 页数：9 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4350Z	文件：226.3 Kbytes Page：12 Pages	丝印：PB4350；Package：SC-73；50 V low VCEsat NPN transistor 1. General description NPN low VCEsat transistor in a SOT223 plastic package. PNP complement: PBSS5350Z. 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage • High collector current capability: IC and ICM • High collector current gain (hFE ) at high IC • Higher efficiency l 文件：226.3 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350Z	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors 文件：948.33 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4350Z	文件：162.23 Kbytes Page：9 Pages	丝印：PB4350；Package：SOT223；50 V low VCEsat NPN transistor 文件：162.23 Kbytes 页数：9 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4350Z_15	文件：162.23 Kbytes Page：9 Pages	50 V low VCEsat NPN transistor 文件：162.23 Kbytes 页数：9 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4350Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	50 V low VCEsat NPN transistor NPN low VCEsat transistor in a SOT223 plastic package. PNP complement: PBSS5350Z. • Low collector-emitter saturation voltage\n• High collector current capability: IC and ICM\n• High collector current gain (hFE ) at high IC\n• Higher efficiency leading to less heat generation\n• Reduced PCB area requirements compared to DPAK.\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS4350Z,135	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 3A SOT223	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350Z/ZLF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 3A SOT223	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SC-73
Size (mm)：
6.5 x 3.5 x 1.65
Polarity：
NPN
Ptot (mW)：
1350
VCEO [max] (V)：
50
IC [max] (mA)：
3000
hFE [min]：
200
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
100
Automotive qualified：
N

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