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PBSS4350Z	文件：83.83 Kbytes Page：12 Pages	50 V low VCEsat NPN transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350Z. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350Z	文件：226.3 Kbytes Page：12 Pages	Marking：PB4350；Package：SC-73；50 V low VCEsat NPN transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350Z. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •Higherefficiencyl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350Z	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350Z	文件：162.23 Kbytes Page：9 Pages	Marking：PB4350；Package：SOT223；50 V low VCEsat NPN transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350Z_15	文件：162.23 Kbytes Page：9 Pages	50 V low VCEsat NPN transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350Z,135	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 3A SOT223	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS4350Z/ZLF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 3A SOT223	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

详细参数

型号：
PBSS4350Z
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 50V 3A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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