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PBSS4350T-Q	文件：230.38 Kbytes Page：12 Pages	Marking：ZC；Package：SOT23；50 V; 3 A NPN low VCEsat transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS5350T-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat •Highcollectorcurrentcapability	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350X	文件：913.97 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
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PBSS4350X	文件：277.99 Kbytes Page：12 Pages	50V,3ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT89plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5350X 2.Featuresandbenefits •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolesshea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PBSS4350Z	文件：83.83 Kbytes Page：12 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350Z. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PBSS4350Z	文件：226.3 Kbytes Page：12 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350Z. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •Higherefficiencyl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	PBSS4350T-QR	Nexperia USA Inc.	25+	TO-236-3 SC-59 SOT-23-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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更多PBSS4350T-Q供应商更新时间2025-7-14 14:00:00

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