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MTY14N100

TMOSPOWERFET14AMPERES1000VOLTSRDS(on)=0.80OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhi

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

MTY14N100E

PowerFieldEffect

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MTY14N100E

TMOSPOWERFET14AMPERES1000VOLTSRDS(on)=0.80OHM

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MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

详细参数

  • 型号:

    IXFX14N100

  • 功能描述:

    MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
17+
PLUS247
31518
原装正品 可含税交易
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IXY
06+
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原装库存
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IXYS/艾赛斯
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IXYS/艾赛斯
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更多IXFX14N100供应商 更新时间2025-5-21 10:02:00