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IXFY4N60P3

Polar3 TM HiPerFETTM Power MOSFETs

文件:165.18 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFY4N60P3

Power MOSFET

文件:328.13 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFY4N60P3

N通道HiPerFET

• 超低通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg\n• 快速体二极管\n• dv/dt强度\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

IXFY4N60P3_18

Power MOSFET

文件:328.13 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    2.4

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    4

  • Gate Charge (nC):

    6.9

  • Thermal resistance [junction-case](K/W):

    1.1

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    TO-247 PLUS

  • Power Dissipation (W):

    114

  • Maximum Reverse Recovery (ns):

    250

  • Sample Request:

    No

  • Check Stock:

    Yes

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
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TO-247 PLUS
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