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IXFX27N80Q	文件：55.88 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dV/dt, Low trr Features • IXYS advanced low Qg process • Low gate charge and capacitances - easier to drive - faster switching • International standard packages • Low RDS (on) • Rated for unclamped Inducti 文件：55.88 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFX27N80Q	文件：96.66 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS 文件：96.66 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFX27N80Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 适用于非钳位感应开关（UIS）\n• 快速本征整流器;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFK27N80	文件：157.32 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs 文件：157.32 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFK27N80	文件：162.51 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFET™ Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features • International standard packages • JEDECTO-264 AA,epoxymeet UL 94 V-0, flammability classification • miniBLOC, with Aluminium nitride isolation • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilic 文件：162.51 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFK27N80	文件：168.09 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs HiPerFET™ Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features • International standard packages • JEDECTO-264 AA,epoxymeet UL 94 V-0, flammability classification • miniBLOC, with Aluminium nitride isolation • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilic 文件：168.09 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.32
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
27
Gate Charge (nC)：
170
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.26
Configuration：
Single
Package Type：
TO-247 PLUS
Power Dissipation (W)：
481
Maximum Reverse Recovery (ns)：
250
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXFX27N80Q供应商更新时间2025-12-12 20:05:00

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