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MTY14N100	文件：232.76 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 14 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 0.80 OHM TMOS E-FET Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with fast recovery time. Designed for hi 文件：232.76 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTY14N100	文件：300 bytes Page：1 Pages	TMOS POWER FET 14 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 0.80 OHM	恩XP 恩智浦	恩XP
MTY14N100E	文件：232.76 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 14 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 0.80 OHM TMOS E-FET Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with fast recovery time. Designed for hi 文件：232.76 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTY14N100E	文件：214.7 Kbytes Page：7 Pages	Power Field Effect 文件：214.7 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTY14N100E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power Field Effect	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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深圳市星佑电子有限公司	MTY14N100E	MOT	06+	TO-3PL	500	原装库存	询价
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谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	MTY20N50E	MOT	25+	DIP	18000	原厂直接发货进口原装	询价
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