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IXFX80N50P	文件：235.65 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFE80N50	文件：81.94 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •ConformstoSOT-227Boutline •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance •F	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK80N50	文件：324.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=65mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK80N50P	文件：235.65 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN80N50	文件：537 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=55Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·BatteryChargers ·Highspeedpowerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFN80N50	文件：577.74 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductanc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN80N50	文件：126.82 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductanc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN80N50P	文件：162.76 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Fastintrinsicdiode •Internationalstandardpackage •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •ULrecognized. •Isolatedmountingbase Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR80N50P	文件：155.56 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX80N50	文件：367.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=65mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IXFX80N50P
功能描述：
MOSFET 500V 80A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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